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| 规格书 |
 BSC027N03S G |
| 文档 |
Multiple Devices 11/Dec/2009 |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 5,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 30V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 100A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 2.7 mOhm @ 50A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 2V @ 90µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 51nC @ 5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 6540pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 89W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-PowerTDFN |
| 供应商器件封装 | PG-TDSON-8 (5.15x6.15) |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
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